Advertentie
Een verschil met de door Micron en Intel ontwikkelde 3D XPoint is dat deze op basis van nanofilament is gemaakt, in plaats van een elektrode. Dit moet de nieuwe technologie een voordeel geven ten opzichte van 3D XPoint, dat ondanks indrukwekkende prestaties nooit echt van de grond is gekomen. Het voornaamste voordeel moet zijn dat het nieuwe faseverandering geheugen, of PCM, lichter en goedkoper is om te produceren.
De onderzoekers van het Korean Advanced Institute of Science and Technology spreken zelf ook van de volgende generatie van faseverandering geheugen die wordt gekenmerkt door lagere productiekosten en een zeer laag stroomverbruik. Met het huidige PCM is het heel duur om chips met een hoge opslagcapaciteit te produceren, ook is het niet een heel zuinige techniek. Het nieuwe geheugen moet deze problemen flink verbeteren en moet dus als universeel geheugen kunnen dienen wat zowel DRAM als NAND-flash kan vervangen. PCM-geheugen is namelijk qua snelheid en duurzaamheid zeer vergelijkbaar aan DRAM, maar kan ook gegevens vasthouden zonder van constante stroom voorzien te zijn. In theorie kan PCM-geheugen dus beide technieken vervangen.
3D XPoint had exact dezelfde voordelen, maar sloeg desondanks toch niet aan door de hoge aanschafprijs. De producten in de Intel’s Optane-lijn sloegen daardoor niet goed aan en na het uitblijven van winst voelde Intel zich genoodzaakt de Optane divisie te sluiten.
Met het nieuwe PCM-geheugen willen de Zuid-Koreaanse onderzoekers een nieuwe poging wagen. Het belangrijkste verschil met het originele PCM-geheugen is het gebruik van een nanofilament van slechts 5 nm in plaats van de relatief grote 40 nm elektrode die voorheen gebruikt werd. Dit moet een goedkoper en tot wel 15x zuinigere schakeling mogelijk maken. Als deze belofte waargemaakt kunnen worden is de techniek zeer interessant en is het zeker te hopen dat het nieuwe PCM-geheugen snel zijn weg vindt naar de consument.