Advertentie
Samsung is op dit moment voornamelijk bezig met de massaproductie van zijn 9e generatie v-nand flash-geheugen. Deze generatie is door het bedrijf onthuld in april van dit jaar en telt 286 lagen. Tot nu toe is het moeilijk gebleken om v-nand te produceren met meer dan 300 lagen, maar toch is Samsung van plan in 2026 geheugencellen te produceren met maar liefst 400 lagen.
Om de problemen die voorkomen bij het nog hoger stapelen van nand chips het hoofd te bieden heeft Samsung mogelijk niet alleen de 10e generatie v-nand in productie, maar ook een soort 10.5e generatie. Deze moet verder gestapeld kunnen worden door het gebruik van het zogenaamde ‘Bonding Vertical’ (BV) nand. Deze technologie moet verdere stapeling van geheugen mogelijk maken door het geheugen en bijbehorende circuits op losse lagen te produceren en later pas verticaal te stapelen. Dit verschilt met de huidige ‘Co-Packaged’ (CoP)-technologie waarbij de gehele verticale stapel direct wordt geproduceerd. De nieuwe methode moet de bits per vierkante mm met ongeveer 60% kunnen verhogen volgens Samsung, waarmee ook de snelheid van het geheugen toeneemt.
In 2027 moet de 11e generatie al volgen dat de snelheid van de chips met 50% moet verbeteren. Daarna noemt het bedrijf alleen als doel om in 2030 NAND-chips te kunnen leveren met maar liefst 1000 lagen. Overigens lijkt dit wel een licht uitstel te kunnen betekenen van v-nand met 400 lagen. Eerder dit jaar gaf Samsung nog aan dat het in 2025 nand-chips met 400 lagen op de markt wilde brengen. Concurrent SK Hynix bevestigde dat het nand met minimaal 400 lagen eind 2025 in massaproductie wil hebben.
Als laatste geeft Samsung aan dat het bedrijf een groter marktaandeel wil veroveren in de DRAM-markt. Op dit moment is het bedrijf al wel marktleider op het gebied van HBM en nand, maar nog niet bij DRAM. Daar moet verandering in komen door de zesde generatie 10nm DRAM, ook wel bekend onder de naam 1c DRAM en de daaropvolgende 1d DRAM in 2026. In 2027 moet het eindelijk lukken DRAM te maken onder de 10 nm door een verticale 3D structuur toe te passen die enigszins vergelijkbaar is met v-nand.